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2014.11.30 SUN TEXT BY JAMES TEMPERTON IMAGES BY LAIA VILA NADAL, FELIX IGLESIAS ESCUDERO, LEROY CRONIN, CRONIN GROUP, SCHOOL OF CHEMISTRY, UNIVERSITY OF GLASGOW TRANSLATION BY RYO OGATA/GALILEO WIRED NEWS(UK) 英国のグラスゴー大学と、スペインのロビラ・イ・ビルジリ大学の研究チームが、トランジスタと同じような働きをする新しい分子の設計・合成に成功した。ムーアの法則(集積回路あたりのトランジスタ数は約2年ごとに2倍になるという法則)が破られるかもしれないブレークスルーだ。 現在のフラッシュメモリは、データセルの物理的な限界に束縛されている。データセルには金属酸化物半導体(MOS)が使われているが、MOSコンポーネントは10nm以下での製造がほぼ不可能であり、これにより記録量の上限が決まっている。 今回、従来のデータ記憶コンポーネントに代えて、単一分子を使うという革新的技術が成功した。分子ひとつにマルチビットのデータを記憶させることができるようになると、ムーアの法則が破られる可能性がある。

へえ。期待できそう